O informante conhecido como Fixed-focus, em publicação na rede social Weibo, trouxe novas informações sobre a direção da Qualcomm para seus próximos chipsets. Segundo a fonte, a empresa deve incorporar a tecnologia Heat Pass Block (HPB) — originalmente desenvolvida pela Samsung — nos Snapdragon 8 Elite Gen 6 e Gen 6 Pro.
A mudança estrutural tem como objetivo viabilizar frequências de clock superiores a 5,00 GHz ainda este ano, sem depender exclusivamente dos avanços da litografia de 2 nm. Em outras palavras, a adaptação do HPB busca melhorar o gerenciamento térmico dos chips para permitir clocks mais altos dentro das restrições térmicas atuais.
O que torna o HPB diferente é o redesenho do empacotamento do chip. Hoje é comum o formato Package-on-Package (PoP), no qual a memória DRAM fica posicionada sobre o SoC — uma configuração que pode criar uma “armadilha de calor” ao concentrar fontes de calor e dificultar a dissipação. O novo padrão proposto pelo HPB troca essa abordagem: em vez de empilhar a memória, ele usa um dissipador de cobre acoplado diretamente ao die de silício, com a memória colocada lateralmente.
Essa reorganização do layout permite que o calor gerado pelo die seja transferido de forma mais eficiente para o dissipador de cobre, reduzindo pontos de acúmulo térmico associados ao empilhamento de componentes. Segundo a reportagem, essa alteração no design de empacotamento é vista como uma ruptura em relação às práticas atuais para chips móveis.
